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郭旗,研究员,博士生导师。中国电子学会及中国核学会核电子学与核探测技术分会委员。长期从事电子元器件辐射效应、辐射损伤机理、模拟试验技术和空间辐射环境在轨测量技术研究;先后主持863等国家级科研项目十余项;获新疆维吾尔自治区科技进步二等奖2项,中国科学院和新疆维吾尔自治区科技进步三等奖各1 项;获国家发明专利授权一项;在国内外期刊发表论文数十篇。
研究领域:
半导体器件和集成电路总剂量辐射效应机理、模拟试验方法、空间辐射环境在轨测量技术等研究。

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中国科学院新疆理化技术研究所

 固体辐射物理实验室

通讯地址:新疆乌鲁木齐市北京南路40号附1号 

邮政编码:830011

联系人:郭旗研究员

 电子邮件:guoqi@ms.xjb.ac.cn 

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        固体辐射物理实验室从上世纪80年代初开始,在国内率先开展了MOS器件电离辐射总剂量效应的研究,并一直专注于高能粒子辐射作用下半导体材料、器件和电路的物理机制的揭示。经过长期的研究积累,在空间高能粒子环境对半导体器件辐射损伤的效应规律、测试表征技术、作用机理、影响因素和抑制原理等方面形成了独具特色、有重要影响力的研究方向;拥有一支由半导体物理、核物理、辐射剂量学、辐射技术应用等多学科专业背景研究研究人员构成的创新团队;建立了国内唯一的由辐照装置、元器件测试系统和辐射场测量设备构成的功能完整、配套齐全的半导体器件总剂量辐射效应试验平台。

       实验室长期承担国家、部委及工业部门的科研项目任务,在MOS辐射感生氧化物及界面陷阱电荷的物理机制、半导体材料、器件的电离辐射效应及其损伤机理模型、电离辐射响应的计算机仿真、辐射剂量的界面增强效应、微区剂量探测以及辐射响应测试分析技术方面等方面取得了显著成绩。获得国家、中科院、部委各类奖励13次;其中“国家科技进步三等奖”、“中国科学院科技进步一等奖”一次;专利发明2项。在国内外学术刊物及会议上发表论文243篇。

        固体辐射物理实验室综合运用半导体物理、微电子技术和核科学与技术的基础理论和方法,面向国家需求,瞄准半导体科学和技术前沿,与国内外科研机构及工业部门密切合作,开展新型半导体材料、器件和电路辐射效应的基础性、前瞻性研究,致力于解决用于辐射环境的半导体器件研制和应用中面临的关键科学与技术问题,为新型元器件研发和辐射环境中的可靠性保障提供理论基础和方法技术支撑。
        建立了一支具有半导体物理、核物理、辐射剂量学、辐射技术应用等多学科的专业背景科研创新团队。现有科研人员30余人,其中百人学者1人,国务院政府特殊津贴享受者1人,研究员、博士生导师6名,副研究员3名,在读博士生、硕士生20余人。

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