科研设施 科研设施

最小化 最大化

60Co γ辐射装置

设备型号:加拿大Nordion C-188

技术参数:

平均能量:1.25MeV;

剂量率范围:0.002rad/s – 1000rad/s

系统功能:

近似点源,圆形辐照厅,是模拟空间辐射环境中总剂量损伤的理想辐照源

 高频高压型电子加速器

设备型号:俄罗斯ELV-8 II

技术参数:

能量:1.0 – 2.0 MeV ;

束流范围:5E+7 – 1E+12 e/cm2 s;

剂量率范围:4 – 1E5 rad/s

系统功能:低通量、高稳定性电子束,可用于材料及器件的空间电子辐射效应研究

 微纳米半导体器件特性分析系统

设备型号:KEITHLEY 4200-SCS、BD-6探针台、707A矩阵开关

技术参数:

源量程:电流1.05A,精度50aA;电压210V,精度5μV;

测量范围:电流1.05A,精度10aA;电压210V,精度1μV;

快速脉冲测试模块频率范围1Hz~50MHz;

探针台电流精度100fA;

矩阵开关:弱电流通道2个;CV通道2个;

系统功能:集成前沿的脉冲能力和精密DC测量,适用于微纳米器件辐射损伤机理分析:

  • 6英寸以下晶圆级参数测试及可靠性
  • 封装器件特性分析
  • C-V/I-V 特性分析
  • 高K栅电荷俘获
  • 受自加热效应影响的器件和材料的等温测试
  • 电荷泵测量
  • 电阻性的或电容性的MEM驱动器特性分析
  • 光电子器件

光电材料与器件辐射效应测试系统

系统组成:iHR550影像光谱仪、Optistat AC-V低温恒温器、Coherent Compass-315M固态激光器、SR830锁相放大器

技术参数

光谱范围:190~2100nm;

光谱分辨率:0.05nm(1200g/mm);

波长精度:0.2nm;

波长重复性:0.075nm;

系统功能:半导体光电材料和器件的发光光谱测试、光谱响应特性测试和电参数测量,以及低温电致发光谱测试(EL)和光致发光谱测试(PL)。

太阳电池电参数测试系统

系统组成:太阳模拟器、KEITHLEY2635数字源表

技术参数

AM0太阳光谱;

最大光强1.5太阳常数;

均匀照射面积100mm×100mm;

光谱匹配度A级;

不均匀度≤±3%;

恒温样品台

电流脉冲源可以达到±10A;

测量电流脉冲:±10A;

直流电压源:±1uV~202V;电流源:±20fA~1.515A;

测量直流电压:±1uV~204V;直流电流:±1fA~1.53A;

系统功能:为待测太阳电池提供模拟太阳光,可进行空间太阳电池全参数测试。

电离辐射吸收剂量测量系统

系统构成:PTW UNIDOS剂量仪、PTW 0.6cc Farmer型电离室、PTW Markus平行板电离室、Harshaw 3500热释光读出仪及Fricke、薄膜、聚合物凝胶剂量计

技术参数:

剂量范围:10-2 - 105Gy;

适用光子能量:50kV – 50 MV;

适用电子能量:1.0-45MeV;

系统功能:

剂量场刻度及检测;

在线剂量监测;

不同介质及界面的一维、二维和三维吸收剂量分布

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最小化 最大化

 超大规模集成电路测试系统

设备型号:Verigy 93000CTH

技术参数:

8块PS400数字板卡

512个数字通道,其16个通道测试速率可高达533Mbps

Per-Pin测量结构

量程范围:-2.5V—6.2V、±20mV

精确度:±10mV、±100uA

分辨率:1mV、10uA

系统功能:满足超大规模集成电路辐射损伤测试需求

实现SOC全参数测试

模拟/混合信号静态参数测试系统

设备型号:AMIDA -3001XP

技术参数:

24通道精密源测量单元;

电压范围:±1V~±45V;

电流范围:±1uA~±1A;

最小分辨率:0.033mV和0.033nA;

4通道示波器功能;

16通道数字I/O功能,分辨率10ns;

系统功能:

可进行运算放大器、比较器、线性稳压器、模数转换器等模拟混合信号器件所有静态电参数以及时间参数测试

高速数/模混合信号电路测试系统

系统组成:

A/D测试:R&S模拟信号源SMA100A、矢量信号源SMBV100A、Tektronics逻辑分析仪TLA5203、示波器DPO7354、Agilent脉冲发生器81133A

D/A测试:数据发生器DTG5078、频谱分析仪FSU26、、Agilent脉冲发生器81133A、示波器DPO7354

技术参数:16位数/模转换器测试;数据传输率750Mb/s

16位模/数转换器测试;采样率2GSPS

系统功能:配合相应的软件可以对高速模/数、数/模转换器进行差分非线性误差、积分非线性误差等静态参数和信噪比、信噪谐真比、有效位、无杂散动态范围、互调失真等动态参数以及时间参数的测试。

光电成像器件抗辐射性能检测系统

技术参数

工作光谱波段:0.38μm~1.0μm;

光谱分辨率:20nm~40nm;

A/D量化等级:14bit;

动态范围:80dB;

测量绝对值不确定度:≤8%;

重复性误差:≤3%;

系统功能:可定量化检测光电成像器件(CCD、CMOS图像传感器)受辐射后性能参数的变化规律,具有光谱传递函数、光谱响应度以及全部光电性能参数的检测功能,可进行电离辐射损伤和位移损伤的分离,用于光电成像器件辐射损伤机理分析。

辐射效应退火及老化试验系统

设备型号:爱斯派克EG-02KA型高低温试验箱、ELEA-V型集成电路高温动态老化系统、101-1型高温干燥箱。

技术参数:温度范围:-70℃~250℃,±1℃;

恒温和程序两种温度驱动模式;

16套图形驱动检测板,每套拥有64路数字信号、4路模拟信号的发生及驱动

系统功能:为器件和集成电路提供试验所需的温度环境和驱动信号,可进行退火和加速老化试验

辐射效应仿真平台

由实现并行运算的工作站和多核CPU微机系统构成。安装了Monte-Carlo粒子输运模拟工具Geant4、MCNP和工艺、器件、电路TCAD仿真模拟软件。粒子输运模拟工具可以实现对粒子与材料微观物理作用过程的仿真,能够模拟的粒子种类齐全,能量范围广;TCAD模拟软件可以实现器件辐射损伤表征与内部微观机理的仿真。    通过将粒子输运模拟和器件物理模拟有机结合,给出器件工艺、尺寸、材料、结构与辐射损伤的定量关系,深入分析辐射损伤机理,为器件研制提供加固设计方法,为辐射效应评估提供预测手段。